Введение в технологию материалов микроэлектроники. Часть 3. Эпитаксиальный рост. Учебник для вузов

---

Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации. Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.

---

Автор: Александрова Ольга Анатольевна, Лебедев Андрей Олегович, Мараева Евгения Владимировна

Издательство:

Серия: Радиоэлектроника и приборостроение

Год: 2023

Тип обложки: твердый переплёт

Кол-во страниц: 216

ISBN: 978-5-507-45481-5