Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

---

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

---

Автор: Таперо Константин Иванович, Улимов Виктор Николаевич, Членов Александр Михайлович

Издательство: Лаборатория знаний

Серия:

Год: 2020

Тип обложки: твердый переплёт

Кол-во страниц: 304

ISBN: 978-5-9963-0633-6